第43回研究発表講演会プログラム

日時: 2024年12月7日(土) 9:30~16:30

場所: 九州大学西新プラザ2階大会議室及び1階展示コーナー

 

口頭発表(2階大会議室)(一般講演:発表10分、質疑5分)                会場責任者(九大院・工)劉 維

 

開会挨拶 日本原子力学会九州副支部長 (九電)福井敏洋                  9:30~9:35

 

                                                                                                (○:発表者)

第1セッション 座長(九大院・工)松元達也                                            9:35~10:35

O-01    理想結晶黒鉛に対する新規非弾性散乱断面積データが黒鉛減速体系の核特性に及ぼす影響の予備的評価

   (九大院・工)○沖田将一朗、藤本 望

O-02    レーザー駆動イオン加速ビーム幅診断手法の開発

   (九大院・総理工)○青木宣篤,榊 泰直、松本悠椰、村川真宙、渡辺幸信

   (関西光量子科学研究所)小島完興

   (KEK)諏訪田 剛

O-03    転送行列を用いたレーザー駆動イオン加速のビーム輸送シミュレーションの開発

   (九大院・総理工)○村川真宙、榊 泰直、松本悠椰、青木宣篤、渡辺幸信

   (量研関西研)小島完興、ヂン タンフン、畑 昌育

   (奈良女子大学)大石沙也加

O-04    252Cf線源を用いたEJ-276Dプラスチックシンチレータの性能評価

   (九大院・総理工)○麻生恭裕、川瀬頌一郎、渡辺幸信

   (九大院・工)執行信寛

 

第2セッション 座長(九大院・工)執行信寛                                              10:50~11:50

O-05    黒鉛減速体系の拡散計算用エネルギー群構造に関する研究

   (九大院・工)○小林祐介、Irwan Liapto Simanullang、藤本 望

O-06    高燃焼度下での高温ガス炉燃料の燃焼挙動に関する研究

   (九大院・工)○園田翔太、藤本 望、Irwan Liapto Simanullang

O-07    放射性廃液からの核種分画除去方法の研究

   ((株)ICUS)○関根智一、 上田 瞳、 下村達夫

O-08    Siにおける負ミューオン原子核捕獲反応から放出される軽荷電粒子のエネルギースペクトル測定

   (九大・総理工)○北藤健太郎、川瀬頌一郎、川田哲平、渡辺幸信

   (理研)  新倉 潤

   (東大理)水野るり恵

   (阪大RCNP)友野 大

   (KEK)石田勝彦

   (RAL)Adrian Hillier

 

ランチ・休憩                                   11:50~13:00

 

 

ポスター発表  説明・討論時間                             13:00~15:00

 

 

招待講演 座長(九大院・工)渡辺賢一                       15:00~15:40

  福島第一原子力発電所における使用済セシウム吸着塔からの吸着材採取技術の開発

  (IRID/アトックス)○中塩信行、中村 直哉 鈴木 康之 小柴 毅士 田村 宏樹 戸田 渓斗

 

 

第3セッション 座長(九大院・工)有馬立身                                              15:40~16:25

O-09    体積発熱を伴う円筒形粒子層の熱伝達挙動に関する実験的研究

   (九大院・工)○横山貢成、温 俊朗、山本宣太朗、松元達也、劉 維、守田幸路
   (JAEA)     今泉悠也、松場賢一

O-10    高温ガス炉を用いたT製造法の検討~水素圧力に対するNi被覆Zr球の水素吸収性能~

   (九大院・工)○川井大海,松浦秀明,古屋碧海

   (九大院・総理工)片山一成

   (近大)大塚哲平

   (JAEA)石塚悦男、中川繁昭

   (東北大工)飛田健次

   (QST)染谷洋二、坂本宜照

O-11    福島第一原発から放出された”放射性セシウム原子”の可視化

   (九大)○宮﨑加奈子、宇都宮 聡

   (国立極地研)堀江憲路、竹原真美

   (筑波大)山﨑信哉

   (東大)斉藤拓巳

   (東工大)大貫敏彦

   (JAEA)高野公秀、塩津弘之、岩田 孟

 

閉会挨拶 日本原子力学会九州支部長(九大院・工)渡辺賢一                                16:25~16:30

 

 

 

ポスター発表(九州大学西新プラザ1階展示コーナー)                    会場責任者(九大院・工)松元達也

ポスター掲示時間 12:00~16:30     説明・討論 13:00~15:00                           (○:発表者

P-01    Hardening behavior and effect of heat treatment on the V-4Cr-4Ti/SUS316L explosive welding interface

   (九大院・総理工)○Junzuo LAI

   (九大・応力研)Hideo WATANABE、Shun SHIMABUKURO、Takahumi MUTAGUCHI

   (核融合研)Takuya NAGASAKA

P-02    金属中の重水素の熱拡散に関する研究

   (九大院・総理工)○柚山翔太、アシフ・ニブラス・ビン、橋爪健一

P-03    F及びY添加BaZrO₃中の水素挙動

   (九大院・総理工)○寺井 響、橋爪健一

   (三井金属鉱業)  井手慎吾、加藤広平

P-04    金属ジルコニウムの添加元素における影響

   (九大院・総理工)満田彩欄、橋爪健一

P-05    医療用放射性銅のナノカプセルを用いたがん細胞内部への薬剤輸送による治療効果予測

   (九大・総理工)○衛藤大成

P-06    コンポジット減速材を用いた原子炉の特性評価

   (九大院・工)○安河内直稀、Irwan Liapto Simanullang、藤本 望

P-07    14 MeV近傍の陽子入射における27Al(𝑝, 𝑥𝛼)反応の二重微分断面積測定

   (九大院・総理工)○平尾純一、川瀬頌一郎、森 毬恵、麻生恭裕、北藤健太郎、渡辺幸信

   (阪大院・理) 古野達也

   (九大院・理) 西畑洸希

   (理研) 新倉 潤

P-08    マインクラフトを用いた放射線教材の開発と評価

   (佐世保高専) ○佐藤惇哉、手島裕詞、志久 修

         (九大院・総理工)渡辺幸信

P-09    MOX燃料とコンポジット減速材を用いた高温ガス炉の基本特性評価

   (九大院・工)○海江田真輝、Irwan Liapto Simanullang、藤本 望

P-10    固気流動層に対する中性子イメージングの適用性検討

   (九大・工)○吉川陽人

   (九大院・総理工)渡辺幸信

   (佐世保高専)松山史憲、城野祐生

   (JAEA)甲斐哲也

P-11    水蒸気存在下におけるパラジウム-銀管の水素透過挙動とその評価

   (九大院・総理工)○増田健太郎、片山一成、中村文哉

   (量子科学研究開発機構)枝尾祐希、染谷洋二

P-12    高温ガス炉装荷用Liロッド模擬試験体のトリチウム閉じ込め性能の評価

   (九大院・総理工)○五十川浩希、片山一成、平安山大介

   (九大院・工)松浦秀明

P-13    TlBr半導体検出器の多変量解析による信号処理の改良の検討

   (九大院・工)○田中清志朗、須貝優介、長谷川創大、渡辺賢一

   (東北大)野上光博、人見啓太朗

P-14    球形Liガラスシンチレータにおける壁効果の考察

   (九大院・工)○齋藤優太郎、大島裕也、渡辺賢一

P-15    高温ガス炉を用いた核融合炉用T製造

   ~酸化物と非接触共存状態におけるNi被覆Zr球の水素吸収性能~

   (九大院・工)○古屋碧海、松浦秀明、川井大海

   (九大・総理工)片山 一成

   (近大)大塚哲平

   (JAEA)石塚悦男、中川繫昭

   (東北大院工)飛田健次

   (QST)染谷洋二、坂本宣照

P-16    LHD軽水素プラズマにおける6Li+p及び6Li+d反応由来のγ線スペクトル及びその評価法の検討

   (九大院・工)○脇坂真司、松浦秀明

   (核融合研)川本靖子

   (核融合研)(総研大)小川国大、磯部光孝

P-17    LHD重水素プラズマにおけるコンパクト中性粒子分析器を用いたノックオンテイル形成の確認

   (九大院・工)○江頭慶一郎、松浦秀明

   (核融合研)川本靖子

   (核融合研)(総研大)小川国大、磯部光孝

P-18    誘導結合型プラズマ駆動透過装置の製作と評価

   (九大院・総理工)○上床雄貴、増田健太郎、片山一成

P-19    核融合炉タングステンダイバータ材料の破壊靭性評価

   (九大院・総理工)○下田大樹

   (九大応力研)徳永和俊、長谷川 真、中村一男

   (東北大金属材料研究所)松尾 悟

   (高エネルギー加速器研究機構)栗下裕明

   (JAEA)外山 健

P-20    電子照射に伴うZrN中の窒素原子不定比性転位ループの形成

   (九大院・工)○山田開世、吉岡 聰、安田和弘

   (九大超顕微解析研究センター)山本知一

   (JAEA)高木聖也

P-21    Gd2O3ドープしたCeO2の照射欠陥形成・成長機構

   (九大院・工)○清水僚真、吉岡 聰、安田和弘

   (JAEA)石川法人

第43回研究発表講演会の案内と発表募集

下記の要領にて、九州支部第43回研究発表講演会を対面形式で開催します。多数のご参加をいただけますよう御案内申し上げます。

日時: 2024年12月7日 (土) 09:30 – 17:30 (予定)
場所: 九州大学西新プラザ (福岡市早良区西新2-16-23)
参加登録: こちらから登録してください。
              (準備の都合上2024年11月29日 (金) 17:00までに参加登録をお願いします。)
発表形式: 口頭発表、ポスター発表
発表内容: 原子力利用に関係する学術研究であれば、既に発表済みの内容でも構いません。
発表申込: こちらから申し込んでください。講演者は参加登録もお願いします。
    (プログラム編成にあたって、口頭発表からポスター発表への変更もしくはその逆をお願いする場合があります。)
発表申込締切: 2024年11月15日 (金) 17:00
       要旨提出 下記の様式を使用して、 こちら>から提出してください。
                       要旨 (和文) 様式
                       要旨 (英文) 様式
要旨提出締切: 2024年11月25日 (月) 17:00
表彰制度: 優秀学生ポスター賞: 2-3件程度;学生・若手研究者奨励賞 (口頭発表): 2-3件程度
参加費: 一般、学生ともに無料
要旨集: PDFファイルのみとし、発表者、参加者に限定配布します。配布方法については別途ご連絡します。
プログラム: 確定次第、発表申込者にお知らせします。また、日本原子力学会九州支部ウェブサイトに掲載します。

旅費補助: 福岡地区以外から発表予定の学生で希望する者に旅費の一部を補助予定です。希望者は発表申込時にお知らせください。補助対象者、補助金額等は事務局で決定しますので必ずしもご希望に添えるものではありません。


問い合わせ先
日本原子力学会九州支部事務局
E-mail: office@kyushu.aesj.or.jp
担当者: 劉 維

第43回研究発表講演会 発表申込

発表申込締切: 2024年11月15日 (金) 17:00

    申込者氏名

    申込者所属

    申込者メールアドレス

    発表タイトル

    著者全員の氏名、所属

    発表形式 口頭発表ポスター発表

    福岡地区以外の学生に旅費の補助を予定しています。旅費の補助を希望しますか? 希望する希望しない
    福岡地区の学生は旅費の補助を希望しても補助対象になりません。

    第14回支部大会報告

    2024年5月20日にオンラインで開催した第14回支部大会において、下記の審議事項についてすべて提案通りに了承されました。

     (1) 2023年度事業報告

     (2) 2023年度収支決算報告

     (3) 2024度支部幹事の選出

     (4) 2024年度事業計画

     (5) 2024年度収支予算

    第14回支部大会・特別講演会 会議室・資料情報

    第14回支部大会・特別講演会に参加登録をされた方々へ

    5/13 17:30頃にMicrosoft Teamsの会議室のURLと資料ダウンロード先の情報を office@kyushu.aesj.or.jp からメールで配信しました。参加登録をしたにも関わらず届いてない方がおられましたら,恐れ入りますが,九州支部事務局 office@kyushu.aesj.or.jp 迄ご連絡をお願いします。

    第14回支部大会・2024年度特別講演会のご案内

    日本原子力学会九州支部では第14回支部大会ならびに2024年度特別講演会を下記の要領にてオンライン開催します。参加を希望される方は2024年5月13日 (月) 17:00 までにこちらのフォームから登録をお願いします。登録された方には後日Microst Teamsの会議室情報を送付します。

    日時: 2024年5月20日 (月) 13:30 – 15:20
    場所: Microsoft Teams によるオンライン開催

    1. 支部大会 
      13:30 – 14:00

      議事次第
      (1) 開会の辞
      (2) 2023年度事業報告
      (3) 2023年度収支決算報告
      (4) 2024年度支部幹事の選出
      (5) 2024年度事業計画
      (6) 2024年度収支予算
      (7) 新旧支部長挨拶
      (8) 閉会の辞

    2. 特別講演会
      14:10 – 15:20

      講師: 田中 浩基 氏 (京都大学 教授)
      演題: ホウ素中性子捕捉療法の現状と将来展望

    第182回講演会のご案内

    下記の通り九州支部第182回講演会を開催いたします。皆様のご参加をお待ちしております。日 時:2024年2月29日(木)14:00〜16:30場 所:九州大学伊都キャンパス ウエスト2号館8階821号室講 師:Prof. Galia Pozina and Prof. Ching-Lien Hsiao    スウェーデン Linköping University講演題目:Development of epitaxial ultra-wide-bandgap semiconductors Ga2O3(Prof. Galia Pozi)講演概要:The development of the semiconductor gallium oxide (Ga2O3) currently attractssignificant attention in research due to its promising material properties. These includean ultra-wide bandgap with an energy of 4.8 eV and an exceptionally high breakdownelectric field of ~8 MV/cm for the β-polymorph. Considering that Ga2O3 can outperformGaN and SiC in terms of high-voltage electronics, this semiconductor is important formany potential applications from efficient solar and wind energy conversion toenvironmentally friendly electric vehicles. However, for Ga2O3 to be effectively utilizedin power electronics, there is a need to improve the growth techniques to produce highqualitysingle crystal epitaxial layers suitable for device structures. The primarychallenge in fully using Ga2O3 for high-voltage device applications lies in overcomingdifficulties associated with achieving suitable and controllable electrical conductivity,especially of p-type. Various growth methods, including molecular beam epitaxy (MBE)and metal-organic vapor-phase epitaxy (MOVPE), have been widely employed tosynthesize thin films of homoepitaxial and heteroepitaxial Ga2O3. Additionally, the useof the high-growth-rate method such as halide vapor-phase epitaxy (HVPE), which weemploy, has been proven to be successful, with growth rates reaching up to tens ofμm/h. This approach is particularly effective in depositing thick layers of Ga2O3, whichcan be utilized either fabricating devise or as templates for subsequent MBE orMOVPE growth.講演題目:Engineering of advanced III-nitride nanostructures for optic and electronic applications        (Prof. Ching-Lien Hsiao)講演概要:Iridescent structural colors and polarization properties of the light shown in thereflection from insects, such as butterflies and scarab beetles, attract attention toexplore the relationship between the microstructures and their optical behaviors. Thesestructures, which help organisms survive in nature’s tough environments, also inspirebiomimetic-based applications. Engineering of advanced nanostructures inmorphology, structure, and composition paves a way to obtain unique characteristicsby resembling these natural structures. In this talk, I will give an overview on how togrow nanostructures using conventional vacuum techniques. Mostly, I will address onindustrial-compatible process, magnetron sputter epitaxy. The growth mechanism willbe elucidated from nucleation to the formation of mature nanostructures throughdetailed microstructural characterizations on morphology, structure, and composition.The controlled growth of advanced multi-component/-layer nanostructures by meansof manipulating the growth configurations of deposition system will be presented.Specific site-controlled growth of nanostructures on prepatterned substrates formaking regular nanorod arrays will be introduced. Finally, I will give some examples ofapplication utilizing the characteristics of these advanced nanostructures for optic andelectronic applications.連絡先:九州大学工学研究院 エネルギー量子工学部門 安田和弘電子メール:yasuda.kazuhiro.967@m,kyushu-u.ac.jp、電話:092-802-3487