(1) 2023年度事業報告

 (2) 2023年度収支決算報告

 (3) 2024度支部幹事の選出

 (4) 2024年度事業計画

 (5) 2024年度収支予算

第14回支部大会・特別講演会 会議室・資料情報


5/13 17:30頃にMicrosoft Teamsの会議室のURLと資料ダウンロード先の情報を office@kyushu.aesj.or.jp からメールで配信しました。参加登録をしたにも関わらず届いてない方がおられましたら,恐れ入りますが,九州支部事務局 office@kyushu.aesj.or.jp 迄ご連絡をお願いします。


日本原子力学会九州支部では第14回支部大会ならびに2024年度特別講演会を下記の要領にてオンライン開催します。参加を希望される方は2024年5月13日 (月) 17:00 までにこちらのフォームから登録をお願いします。登録された方には後日Microst Teamsの会議室情報を送付します。

日時: 2024年5月20日 (月) 13:30 – 15:20
場所: Microsoft Teams によるオンライン開催

1. 支部大会 
  13:30 – 14:00

  (1) 開会の辞
  (2) 2023年度事業報告
  (3) 2023年度収支決算報告
  (4) 2024年度支部幹事の選出
  (5) 2024年度事業計画
  (6) 2024年度収支予算
  (7) 新旧支部長挨拶
  (8) 閉会の辞

2. 特別講演会
  14:10 – 15:20

  講師: 田中 浩基 氏 (京都大学 教授)
  演題: ホウ素中性子捕捉療法の現状と将来展望


下記の通り九州支部第182回講演会を開催いたします。皆様のご参加をお待ちしております。日 時:2024年2月29日(木)14:00〜16:30場 所:九州大学伊都キャンパス ウエスト2号館8階821号室講 師:Prof. Galia Pozina and Prof. Ching-Lien Hsiao    スウェーデン Linköping University講演題目:Development of epitaxial ultra-wide-bandgap semiconductors Ga2O3(Prof. Galia Pozi)講演概要:The development of the semiconductor gallium oxide (Ga2O3) currently attractssignificant attention in research due to its promising material properties. These includean ultra-wide bandgap with an energy of 4.8 eV and an exceptionally high breakdownelectric field of ~8 MV/cm for the β-polymorph. Considering that Ga2O3 can outperformGaN and SiC in terms of high-voltage electronics, this semiconductor is important formany potential applications from efficient solar and wind energy conversion toenvironmentally friendly electric vehicles. However, for Ga2O3 to be effectively utilizedin power electronics, there is a need to improve the growth techniques to produce highqualitysingle crystal epitaxial layers suitable for device structures. The primarychallenge in fully using Ga2O3 for high-voltage device applications lies in overcomingdifficulties associated with achieving suitable and controllable electrical conductivity,especially of p-type. Various growth methods, including molecular beam epitaxy (MBE)and metal-organic vapor-phase epitaxy (MOVPE), have been widely employed tosynthesize thin films of homoepitaxial and heteroepitaxial Ga2O3. Additionally, the useof the high-growth-rate method such as halide vapor-phase epitaxy (HVPE), which weemploy, has been proven to be successful, with growth rates reaching up to tens ofμm/h. This approach is particularly effective in depositing thick layers of Ga2O3, whichcan be utilized either fabricating devise or as templates for subsequent MBE orMOVPE growth.講演題目:Engineering of advanced III-nitride nanostructures for optic and electronic applications        (Prof. Ching-Lien Hsiao)講演概要:Iridescent structural colors and polarization properties of the light shown in thereflection from insects, such as butterflies and scarab beetles, attract attention toexplore the relationship between the microstructures and their optical behaviors. Thesestructures, which help organisms survive in nature’s tough environments, also inspirebiomimetic-based applications. Engineering of advanced nanostructures inmorphology, structure, and composition paves a way to obtain unique characteristicsby resembling these natural structures. In this talk, I will give an overview on how togrow nanostructures using conventional vacuum techniques. Mostly, I will address onindustrial-compatible process, magnetron sputter epitaxy. The growth mechanism willbe elucidated from nucleation to the formation of mature nanostructures throughdetailed microstructural characterizations on morphology, structure, and composition.The controlled growth of advanced multi-component/-layer nanostructures by meansof manipulating the growth configurations of deposition system will be presented.Specific site-controlled growth of nanostructures on prepatterned substrates formaking regular nanorod arrays will be introduced. Finally, I will give some examples ofapplication utilizing the characteristics of these advanced nanostructures for optic andelectronic applications.連絡先:九州大学工学研究院 エネルギー量子工学部門 安田和弘電子メール:yasuda.kazuhiro.967@m,kyushu-u.ac.jp、電話:092-802-3487








応 募 先:〒819-0395 福岡市西区元岡744
     九州大学大学院 工学研究院 エネルギー量子工学部門内
     Email: office@kyushu.aesj.or.jp
     Tel:092-802-3508, Fax:092-802-3508

選 考 :支部賞選考委員会にて受賞者を選考し、選考結果を支部ホームページに掲載します。

授 賞 式:2024年5月に開催される日本原子力学会九州支部大会にて授賞式を開催し、賞状と副賞を授与いたします。






番号 氏名 タイトル
O-02    中上直人    低エネルギーミュオン計測における運動量推定アルゴリズムの開発
O-08 北川堪大 高温ガス炉を用いたT製造法の検討 ~昇温過程を含むNi被覆Zr球の水素吸収実験解析モデル~


番号 氏名 タイトル
P-01 瀬戸口祐輝   中性子照射Ti粉末混合フッ化物溶融塩FLiNaBeにおけるTi活性化処理の影響
P-02 森裕薫 水溶解法を用いた液体リチウム中水素同位体濃度測定に関する実験
P-05 川井大海 高温ガス炉を用いたT製造法の検討
P-06    脇坂真司 LHD重水素プラズマにおけるノックオンテイル観測実験~6Li+d反応で生じるγ線の計測~
P-11 園田翔太 高燃焼度下での高温ガス炉燃料の燃焼挙動に関する研究




  • 建物には9:20から入れます
  • 受付は9:20過ぎに開始予定です

日時: 2023年12月2日 9:50 – 17:00
場所: 九州大学西新プラザ2階大会議室及び1階展示コーナー


時刻 番号 タイトル 発表者、座長
  9:50 – 10:00   開会の挨拶 九州支部長 畠埜恭介 (九電)
10:00 – 11:00   第1セッション 座長 米村祐次郎(九大)
10:00 – 10:15 O-01 霧箱を使用したα線飛跡に沿った吸収線量分布計測 高瀬創,前畑京介,竹内克(帝京大)
10:15 – 10:30 O-02 低エネルギーミュオン計測における運動量推定アルゴリズムの開発 中上直人,亀井智子,青木宣篤,川瀬頌一郎(九大),佐藤朗(阪大),渡辺幸信(九大)
10:30 – 10:45 O-03 レーザー加速イオンビームのPIC輸送計算コード開発 松本悠椰,榊泰直(九大・QST),永島圭介,畑昌育,遠藤友随(QST),渡辺幸信(九大)
10:45 – 11:00 O-04 原子力発電所でのリスク情報を活用した意思決定のためのニシム電子工業におけるリスクモニタ活用支援について 井上政春,小西大輔,〇寺尾憲親(ニシム電子工業(株))
11:00 – 11:10   休憩  
11:10 – 12:10   第2セッション 座長 執行信寛(九大)
11:10 – 11:25 O-05 シビアアクシデント時の​格納容器貫通部における核分裂生成物の除去効果に関する研究​ 高西航平,Md. Iqbal Hosan,劉維,守田幸路(九大),中村康一,金井大造(電中研)​
11:25 – 11:40 O-06 集合体型受動的炉停止デバイス燃料ピンにおける溶融金属燃料落下挙動の粒子法シミュレーション 十河宏考,劉維,守田幸路(九大)
11:40 – 11:55 O-07 高温ガス炉の詳細出力評価に関する予備検討 楠木捷斗,藤本望,Irwan L. Simanullang(九大)
11:55 – 12:10 O-08 高温ガス炉を用いたT製造法の検討 ~昇温過程を含むNi被覆Zr球の水素吸収実験解析モデル~ 北川堪大,松浦秀明,川井大海,片山一成(九大),大塚 哲平(近大),石塚悦男,中川繁昭(JAEA),飛田健次(東北大),染谷洋二,坂本宜照(QST)
12:10 – 13:20   昼食  
13:20 – 14:50   ポスター発表  
14:50 – 15:00   休憩  
15:00 – 15:45   第3セッション 座長 劉維 (九大)
15:00 – 15:15 O-09 二酸化セリウムの照射欠陥形成・成長に及ぼす複合照射効果 有馬領大,山本知一,吉岡聰(九大),石川法人(JAEA),安田和弘(九大)
15:15 – 15:30 O-10 発表取り下げ  
15:30 – 15:45 O-11 日本の模擬高レベルガラス固化体P0798の溶解速度評価:弱酸性条件での溶存Si濃度依存性 狭間俊輔、稲垣八穂広、有馬立身、横山礼幸(九大)
15:45 – 15:55   休憩  
15:55 – 16:40   第4セッション 座長 松浦秀明 (九大)
15:55 – 16:10 O-12 Experimental investigation on the heat transfer behavior of spherical particle bed with volumetric heating Junlang WEN,Yuto KAMADA,Kosei YOKOYAMA,Tatsuya, MATSUMOTO,Wei LIU,Koji MORITA(Kyushu Univ.),Yuya IMAIZUMI, Hirotaka TAGAMI, Kenichi MATSUBA, Kenji KAMIYAMA (JAEA)
16:10 – 16:25 O-13 UTR-KINKIにおけるCdサンプルの反応度価値測定とモンテカルロ法による計算との比較 守屋壮一郎,藤本望,Irwan L. Simanullang(九大), 左近敦士(近大)
16:25 – 16:40 O-14 高温ガス炉使用済み燃料の燃焼度測定手法の検討 川口祥平,Irwan L. Simanullang,藤本 望(九大)
16:40 – 16:50   閉会の挨拶 九州支部副支部長 渡辺賢一 (九大)



日時: 2023年12月2日 13:20 – 14:50
場所: 西新プラザ1階展示コーナー

  ポスターセッション 会場責任者 劉維 (九大)
タイトル 発表者
P-01 中性子照射Ti粉末混合フッ化物溶融塩FLiNaBeにおけるTi活性化処理の影響 瀬戸口祐輝,片山一成,市川亨,大宅諒(九大)
P-02 水溶解法を用いた液体リチウム中水素同位体濃度測定に関する実験 森裕薫,片山翔太,片山一成,大宅諒(九大)
P-03 核融合炉燃料循環システムにおけるトリチウムバランス評価 中村文哉,片山一成,一本杉旭人,増田健太郎(九大)
P-04 核融合炉初期装荷トリチウム生産用LiロッドにおけるZrの影響 小林正陽,五十川浩希,片山一成,松浦秀明(九大)
P-05 高温ガス炉を用いたT製造法の検討
P-06 LHD重水素プラズマにおけるノックオンテイル観測実験~6Li+d反応で生じるγ線の計測~ 脇坂真司,松浦秀明,梅崎大介,福田理仁(九大),小川国大,磯部光孝,川本靖子(NIFS・総研大),大石鉄太郎(東北大),能登裕之(NIFS・総研大)
P-07 重水素プラズマにおける中性子スペクトル計測に基づく高速イオン診断法の検討 福田理仁,松浦秀明,梅崎大介,脇坂真司(九大)
P-08 LX線解析によるα線放出核種の体内沈着位置の推定 外薗康輝,執行信寛(九大),前畑京介(帝京大)
P-09 COMET実験における残留放射能低減に向けた遮蔽の改良 石井紗英,執行信寛(九大),牧村俊助,深尾祥紀,吉田誠,亀井直矢,飯尾雅実(高エネ研),長澤豊,尾ノ井正裕(金属技研株式会社)
P-10 コンポジット減速材を用いた原子炉の特性評価 安河内直稀,藤本望,Irwan L. Simanullang(九大)
P-11 高燃焼度下での高温ガス炉燃料の燃焼挙動に関する研究 園田翔太,藤本望,Irwan L. Simanullang(九大)
P-12 KUCA黒鉛減速体系の拡散計算用エネルギー群構造に関する研究 小林祐介,藤本望,Irwan L. Simanullang(九大)
P-13 TlBr結晶の二次元キャリア輸送特性評価システムの改善 須貝優介,渡辺賢一,長谷川創大(九大),人見啓太朗,野上光博(東北大)
P-14 透明コンポジットシンチレータにおける発光量の計算 大島裕也,渡辺賢一(九大)




  • 日時: 2023年12月2日 (土) 09:30 – 17:30 (予定)
  • 場所: 九州大学西新プラザ (福岡市早良区西新2-16-23)
  • 参加登録: こちらから登録してください。

         (準備の都合上2023年11月27日 (月) 17:00までに参加登録をお願いします。)

  • 発表形式: 口頭発表、ポスター発表
  • 発表内容: 原子力利用に関係する学術研究であれば、既に発表済みの内容でも構いません。
  • 発表申込: こちらから申し込んでください。講演者は参加登録もお願いします。
    • プログラム編成にあたって、口頭発表からポスター発表への変更もしくはその逆をお願いする場合があります。
  • 発表申込締切: 2023年11月10日 (金) 17:00
  • 要旨提出: 下記の様式を使用して、こちらから提出してください。
  • 要旨提出締切: 2023年11月20日 (月) 17:00
  • 表彰制度
    • 優秀学生ポスター賞: 2-3件程度
    • 学生・若手研究者奨励賞 (口頭発表): 2-3件程度
  • 参加費: 一般、学生ともに無料 
  • 要旨集: PDFファイルのみとし、発表者、参加者に限定配布します。配布方法については別途ご連絡します。
  • プログラム: 確定次第、発表申込者にお知らせします。また、日本原子力学会九州支部ウェブサイトに掲載します。
  • 問い合わせ先